DDR5内存条拥有哪些先进的技术
01 等效频率成倍提升——跑得更快
DDR5最耀眼的技术升级，都是大家最能感受到的等效频率的提升，直接从“2133MHz”跨越式增长至“4800MHz”，甚至随着当下DDR5内存调参的深入，6400MHz或将成为主流水平。
频率的提升，使得DDR5内存在理论跑分上有了质的飞跃，无论是在读取测试、写入测试，还是复制、延时方面，从跑分结果而言，DDR5无疑是超前，提升更是巨幅的
这也是众多用户，对于DDR5内存的第一印象，也是最易接受的技术创新，即频率提升带来的跑分提升，让计算机在理论上能够“跑得更快”了。
02 DRAM容量提升——容量更大
内存的DRAM容量也是此次DDR5内存技术提升的重点方向，在JEDEC的DDR4规范中，单颗内存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5时代，单颗Die的容量上到64Gb的高度。
换句话说，DDR4时代单条32GB可能便是消费级内存的容量天花板了，可进入DDR5时代，标准规范的提升，制程工艺和内部设计的冗余，使得单条32GB成为业界主流标准，甚至于后续单条64GB，乃至于单条128GB，都将成为可能。
当然了，以上容量规格的诞生，还需要DDR5技术进一步升级和优化，以及消费用户的接受程度，是一个漫长的革新过程；但标准协议的诞生，便是内存容量扩充的积极信号。
03 工作电压更低——功耗更低、超频更强
如果说容量和性能的倍增是最为显著的技术升级，那么接下来的内部技术的升级和纠正，则是在更深维度进行了迭代优化。
工作电压的降低，便是其中重要的一环。
DDR5内存工作电压低至1.1V，对比DDR4最低1.2V的工作电压，实现了20%左右的降低，它的降低拥有两个重要意义。
其一是功耗方面，尤其是对于笔记本产品，以及企业级服务器产品而言，20%的功耗降低，具有显著的节能意义；其二是超频潜能，起始电压的降低，使得后续进行超频调参有了更大的可操作空间，能进一步提升内存的超频潜能。
04 On-die ECC下放——纠错能力更强、运行更稳定
实际上，随着晶圆光刻技术不断改进，DRAM芯片密度不断提高，导致数据泄露、数据校正、数据出错的可能性加大。尤其是在企业级应用场景下，为了避免数据错误的频繁发生，业界便引入ECC纠错机制，从而规避风险，提高可靠性并降低缺陷率。
而全新DDR5内存，为了进一步稳定数据传输和校正，迎入了一项类似企业级应用场景的On-die ECC纠错机制，该机制能够动态纠正数据单位错误，或是数据编码错误，为用户日常应用的稳定性，提供技术保障，这是企业级技术下放到消费级场景的一次大胆尝试，也是DDR5内存极具创新的重要产品升级。
05 双32位寻址通道 单通道变双通道——延迟更低、效率倍增
最后一项重要技术升级，便是双32位寻址通道的引入，其基本原理是将DDR5内存模组内部64位数据带宽，分为两路带宽分别为32位的可寻址通道，从而有效的提高了内存控制器，进行数据访问的效率，同时减少了延迟。
所以我们可以看到，单条DDR5内存插入电脑后，部分专业软件甚至直接识别为双通道内存，便是由于DDR5内存模组激进的将“64位单通道”化为“独立32位双通道”的技术创新；当然这种双通道设计，和常规意义上的双通道还是存在相当区别，并不能和传统意义上的两条内存组成双通道进行对比，其提升的效果也视应用场景有着一定性能差异。
但总的来说，双32位寻址通道的引入，对于寻址性能和延迟降低，有着显著提升作用，DDR5总体性能的跃升某种意义上和该技术有着千丝万缕的联系。
06 DDR5新技术带来的思索
DDR5内存自从去年开始展露头角，就一直深处风口浪尖，新技术的到来，必然会引发旧产品的脱节，新旧产品、新旧技术的更迭和换代，是科技行业无时无刻不在发生的必然事件。
对于从业者而言，快速了解和接纳新技术新工艺，是继续的根本；对于消费者而言，新技术可以不喜欢不看好，却无法不接受，深处技术大跃进时代的你我，挡不住也躲不了
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