硅功率MOSFET难以做高压器件的原因，并解释沟槽型（trench）结构的作用

更新时间：2018-03-12 07:28:25 100次访问

对MOSFET来说，载流子（电子或空穴）在这些区域是在外界电压下作漂移（Drift）运动，故而相关的电阻称为RD。若要求MOSFET的耐压高，就必须提高高阻层（对N沟道MOSFET来说，称N－层）的电阻率，但当外延层的电阻率提高时，RD也随之提高。这也是很少出现一千伏以上的高压MOSFET的原因。